品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":246714,"09+":1277,"10+":20000,"11+":37500,"14+":2934,"17+":5000,"18+":2219,"23+":2050}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4807NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@24V
连续漏极电流:9.1A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@14.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4807NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@24V
连续漏极电流:9.1A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@14.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4807NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@24V
连续漏极电流:9.1A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@14.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":850,"08+":378,"10+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4122NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2310pF@24V
连续漏极电流:9.1A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":246714,"09+":1277,"10+":20000,"11+":37500,"14+":2934,"17+":5000,"18+":2219,"23+":2050}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4807NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@24V
连续漏极电流:9.1A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@14.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3994,"23+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUD4C26NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.63W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@15V
连续漏极电流:9.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4807NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@24V
连续漏极电流:9.1A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@14.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4807NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@24V
连续漏极电流:9.1A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@14.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":850,"08+":378,"10+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4122NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2310pF@24V
连续漏极电流:9.1A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2250}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUD4C26NTBG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.63W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@15V
连续漏极电流:9.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4807NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@24V
连续漏极电流:9.1A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@14.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4807NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@24V
连续漏极电流:9.1A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@14.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":850,"08+":378,"10+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4122NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2310pF@24V
连续漏极电流:9.1A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4807NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@24V
连续漏极电流:9.1A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@14.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":246714,"09+":1277,"10+":20000,"11+":37500,"14+":2934,"17+":5000,"18+":2219,"23+":2050}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4807NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@24V
连续漏极电流:9.1A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@14.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4807NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@24V
连续漏极电流:9.1A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@14.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4807NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@24V
连续漏极电流:9.1A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@14.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4122NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2310pF@24V
连续漏极电流:9.1A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4807NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@24V
连续漏极电流:9.1A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@14.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUD4C26NTBG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.63W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@15V
连续漏极电流:9.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4122NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2310pF@24V
连续漏极电流:9.1A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4807NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@24V
连续漏极电流:9.1A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@14.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4122NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:9.1A
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:900mW
栅极电荷:30nC@4.5V
导通电阻:6mΩ@14A,10V
输入电容:2310pF@24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4122NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:9.1A
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:900mW
栅极电荷:30nC@4.5V
导通电阻:6mΩ@14A,10V
输入电容:2310pF@24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"06+":850,"08+":378,"10+":6000}
规格型号(MPN):NTMFS4122NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:9.1A
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:900mW
栅极电荷:30nC@4.5V
导通电阻:6mΩ@14A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:2310pF@24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUD4C26NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.63W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@15V
连续漏极电流:9.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUD4C26NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.63W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@15V
连续漏极电流:9.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4807NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@24V
连续漏极电流:9.1A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@14.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUD4C26NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.63W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@15V
连续漏极电流:9.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUD4C26NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.63W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@15V
连续漏极电流:9.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: