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    品牌: ON SEMI
    连续漏极电流: 9.1A
    当前匹配商品:30+
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    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4807NR2G 起订276个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4807NR2G 起订276个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":246714,"09+":1277,"10+":20000,"11+":37500,"14+":2934,"17+":5000,"18+":2219,"23+":2050}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4807NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@24V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@14.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4807NR2G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4807NR2G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4807NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@24V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@14.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4807NR2G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4807NR2G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4807NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@24V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@14.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4122NT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4122NT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":850,"08+":378,"10+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4122NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@24V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4807NR2G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4807NR2G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":246714,"09+":1277,"10+":20000,"11+":37500,"14+":2934,"17+":5000,"18+":2219,"23+":2050}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4807NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@24V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@14.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUD4C26NTAG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUD4C26NTAG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3994,"23+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUD4C26NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.63W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@15V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:21mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4807NR2G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4807NR2G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4807NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@24V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@14.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4807NR2G 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4807NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@24V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@14.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4122NT1G 起订713个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4122NT1G 起订713个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":850,"08+":378,"10+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4122NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@24V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUD4C26NTBG 起订1624个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUD4C26NTBG 起订1624个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2250}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUD4C26NTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.63W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@15V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:21mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4807NR2G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4807NR2G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4807NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@24V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@14.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4807NR2G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4807NR2G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4807NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@24V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@14.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4122NT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4122NT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":850,"08+":378,"10+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4122NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@24V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4807NR2G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4807NR2G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4807NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@24V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@14.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4807NR2G 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4807NR2G 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":246714,"09+":1277,"10+":20000,"11+":37500,"14+":2934,"17+":5000,"18+":2219,"23+":2050}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4807NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@24V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@14.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4807NR2G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4807NR2G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4807NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@24V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@14.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4807NR2G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4807NR2G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4807NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@24V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@14.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4122NT1G 起订713个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4122NT1G 起订713个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4122NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@24V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4807NR2G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4807NR2G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4807NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@24V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@14.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUD4C26NTBG 起订1624个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUD4C26NTBG 起订1624个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUD4C26NTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.63W

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@15V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:21mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4122NT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4122NT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4122NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@24V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4807NR2G 起订657个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4807NR2G 起订657个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4807NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@24V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@14.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4122NT1G 起订1000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4122NT1G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:9.1A

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:900mW

    栅极电荷:30nC@4.5V

    导通电阻:6mΩ@14A,10V

    输入电容:2310pF@24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4122NT1G 起订713个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4122NT1G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:9.1A

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:900mW

    栅极电荷:30nC@4.5V

    导通电阻:6mΩ@14A,10V

    输入电容:2310pF@24V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4122NT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4122NT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"06+":850,"08+":378,"10+":6000}

    规格型号(MPN):NTMFS4122NT1G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:9.1A

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:900mW

    栅极电荷:30nC@4.5V

    导通电阻:6mΩ@14A,10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:2310pF@24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUD4C26NTAG 起订3900个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUD4C26NTAG 起订3900个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUD4C26NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.63W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@15V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:21mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUD4C26NTAG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUD4C26NTAG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUD4C26NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.63W

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@15V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:21mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4807NR2G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4807NR2G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4807NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@24V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@14.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUD4C26NTAG 起订780个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUD4C26NTAG 起订780个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUD4C26NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.63W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@15V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:21mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUD4C26NTAG 起订1301个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUD4C26NTAG 起订1301个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUD4C26NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.63W

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@15V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:21mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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