品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFD4D0N04HLTWG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€26W
阈值电压:2V@50µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:15A€60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1630,"23+":350}
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ECCN:EAR99
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:15A€60A
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导通电阻:4.5mΩ@10A,10V
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阈值电压:2V@50µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:15A€60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:15A€60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:15A€60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
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输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:15A€60A
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输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:15A€60A
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导通电阻:4.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
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阈值电压:2V@50µA
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输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:15A€60A
类型:2N沟道(双)
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漏源电压:40V
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阈值电压:2V@50µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:15A€60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
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输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:15A€60A
类型:2N沟道(双)
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连续漏极电流:15A€60A
类型:2N沟道(双)
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漏源电压:40V
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漏源电压:40V
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连续漏极电流:15A€60A
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导通电阻:4.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
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类型:2N沟道(双)
功率:1.7W€26W
导通电阻:4.5mΩ@10A,10V
阈值电压:2V@50µA
连续漏极电流:15A€60A
ECCN:EAR99
输入电容:1100pF@20V
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导通电阻:4.5mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
阈值电压:2V@50µA
连续漏极电流:15A€60A
输入电容:1100pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
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包装方式:卷带(TR)
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漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
功率:1.7W€26W
导通电阻:4.5mΩ@10A,10V
阈值电压:2V@50µA
连续漏极电流:15A€60A
ECCN:EAR99
输入电容:1100pF@20V
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阈值电压:2V@50µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:15A€60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
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功率:1.7W€26W
阈值电压:2V@50µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:15A€60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:1.7W€26W
阈值电压:2V@50µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:15A€60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
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工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€26W
阈值电压:2V@50µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:15A€60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€26W
阈值电压:2V@50µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:15A€60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:15A€60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
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功率:1.7W€26W
阈值电压:2V@50µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:15A€60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NTTFD4D0N04HLTWG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€26W
阈值电压:2V@50µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:15A€60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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