采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：665，"19+"：926，"MI+"：615}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF8D5N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€35W
阈值电压：4V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2475pF@50V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF8D5N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€35W
阈值电压：4V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2475pF@50V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：360nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14365pF@100V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60F-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：347nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10900pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N65EF-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@7.6mA
栅极电荷：298nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12560pF@100V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP6410ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：345}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N65EF-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@7.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：298nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12560pF@100V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8D5N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€107W
阈值电压：4V@130µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2475pF@50V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：360nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14365pF@100V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8D5N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€107W
阈值电压：4V@130µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2475pF@50V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：360nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14365pF@100V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：360nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14365pF@100V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：360nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14365pF@100V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF8D5N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€35W
阈值电压：4V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2475pF@50V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：360nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14365pF@100V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8D5N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€107W
阈值电压：4V@130µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2475pF@50V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF8D5N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€35W
阈值电压：4V@130µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2475pF@50V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N65EF-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@7.6mA
栅极电荷：298nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12560pF@100V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6410ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6410ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：97，"19+"：68，"21+"：5，"22+"：32，"9999"：84}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP6410ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6410ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：360nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14365pF@100V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6410ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6410ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N65EF-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@7.6mA
栅极电荷：298nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12560pF@100V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N65EF-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@7.6mA
栅极电荷：298nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12560pF@100V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N65EF-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@7.6mA
栅极电荷：298nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12560pF@100V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@38A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8D5N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€107W
阈值电压：4V@130µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2475pF@50V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF8D5N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€35W
阈值电压：4V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2475pF@50V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
