采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA910PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2805pF@10V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2469}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4C16NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.37W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：33686}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA7628
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@10V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6898AZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1821pF@10V
连续漏极电流：9.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6898AZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1821pF@10V
连续漏极电流：9.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6898AZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1821pF@10V
连续漏极电流：9.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6898AZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
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输入电容：1821pF@10V
连续漏极电流：9.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6898A
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1821pF@10V
连续漏极电流：9.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6898AZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1821pF@10V
连续漏极电流：9.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6898A
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1821pF@10V
连续漏极电流：9.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA910PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2805pF@10V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA7628
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@10V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA910PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2805pF@10V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6898A
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1821pF@10V
连续漏极电流：9.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA910PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2805pF@10V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6898AZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1821pF@10V
连续漏极电流：9.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：192000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4C16NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.37W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA910PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2805pF@10V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA910PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2805pF@10V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA910PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2805pF@10V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
