品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N06LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€28W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF400N80ZL1-F154
工作温度:-55℃~150℃
功率:35.7W
阈值电压:4.5V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD3055LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:107mΩ@8A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N06LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€28W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":122492,"17+":1290}
销售单位:个
规格型号(MPN):EMH2417R-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:10mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":34500,"17+":3150}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD60N360U1-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB11N60TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB11N60TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF11N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6675BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF11N60T
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N06LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€28W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":60000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4119NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@24V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@29A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":464}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6675
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:35.7W
阈值电压:4.5V@1.1mA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6675BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N06LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€28W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N06LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€28W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6675BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":7,"19+":1752,"20+":272367,"MI+":7200}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB11N60TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N06LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€28W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":0,"22+":0}
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU13N06LTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€28W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8695R-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:9.1mΩ@5A,4.5V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD3055LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:107mΩ@8A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N06LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€28W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N06LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€28W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6675BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8695R-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:9.1mΩ@5A,4.5V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4675
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.35nF@20V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD3055LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:107mΩ@8A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: