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    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8280 起订141个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8280 起订141个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMD8280

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:3050pF@40V

    连续漏极电流:11A

    功率:1W

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:8.2mΩ@11A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4675 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4675 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4675

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4.35nF@20V

    导通电阻:13mΩ@11A,10V

    漏源电压:40V

    连续漏极电流:11A

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:56nC@4.5V

    工作温度:-55℃~+175℃

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8695R-TL-W 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8695R-TL-W 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8695R-TL-W

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    导通电阻:9.1mΩ@5A,4.5V

    连续漏极电流:11A

    类型:2N沟道(双)共漏

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6675BZ

    输入电容:2470pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:13mΩ@11A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    栅极电荷:62nC@10V

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD60N360U1T4G 起订309个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD60N360U1T4G 起订309个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"13+":2626,"17+":35000}

    规格型号(MPN):NDD60N360U1T4G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:790pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    栅极电荷:26nC@10V

    功率:114W

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    类型:1个N沟道

    连续漏极电流:11A

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250μA

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    输入电容:350pF@25V

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":7,"19+":1752,"20+":272367,"MI+":7200}

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FCB11N60TM

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    栅极电荷:52nC@10V

    功率:125W

    漏源电压:600V

    输入电容:1490pF@25V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6576 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6576 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"21+":5656,"MI+":3558}

    规格型号(MPN):FDS6576

    阈值电压:1.5V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:11A

    导通电阻:14mΩ@4.5V,11A

    栅极电荷:60nC@4.5V

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    漏源电压:20V

    输入电容:4.044nF@10V

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    类型:1个N沟道

    连续漏极电流:11A

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250μA

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    ECCN:EAR99

    输入电容:350pF@25V

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA6676PZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA6676PZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"21+":2723728,"MI+":12000}

    规格型号(MPN):FDMA6676PZ

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:13.5mΩ@11A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    功率:2.4W

    输入电容:2160pF@15V

    类型:P沟道

    栅极电荷:46nC@10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:2.6V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N06LTM 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N06LTM 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N06LTM

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    功率:2.5W€28W

    导通电阻:115mΩ@5.5A,10V

    输入电容:350pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA7630 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA7630 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA7630

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1360pF@15V

    漏源电压:30V

    导通电阻:13mΩ@11A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    功率:2.4W

    栅极电荷:22nC@10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1431-TL-W 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1431-TL-W 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):700psc

    规格型号(MPN):SFT1431-TL-W

    输入电容:960pF@20V

    导通电阻:25mΩ@5.5A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    连续漏极电流:11A

    阈值电压:2.6V@1mA

    类型:N沟道

    漏源电压:35V

    功率:1W€15W

    栅极电荷:17.3nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N06LTM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N06LTM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N06LTM

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    功率:2.5W€28W

    导通电阻:115mΩ@5.5A,10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:350pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA6676PZ 起订938个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA6676PZ 起订938个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA6676PZ

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:13.5mΩ@11A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    功率:2.4W

    输入电容:2160pF@15V

    类型:P沟道

    栅极电荷:46nC@10V

    阈值电压:2.6V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":7,"19+":1752,"20+":272367,"MI+":7200}

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FCB11N60TM

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    栅极电荷:52nC@10V

    功率:125W

    漏源电压:600V

    输入电容:1490pF@25V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6675BZ

    输入电容:2470pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:13mΩ@11A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    栅极电荷:62nC@10V

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6675BZ

    输入电容:2470pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:13mΩ@11A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    栅极电荷:62nC@10V

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4672A 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4672A 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4672A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    导通电阻:13mΩ@11A,4.5V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:49nC@4.5V

    功率:2.5W

    输入电容:4766pF@20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    类型:1个N沟道

    连续漏极电流:11A

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250μA

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    输入电容:350pF@25V

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6576 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6576 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"21+":5656,"MI+":3558}

    规格型号(MPN):FDS6576

    阈值电压:1.5V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:11A

    导通电阻:14mΩ@4.5V,11A

    栅极电荷:60nC@4.5V

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    漏源电压:20V

    输入电容:4.044nF@10V

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA7630 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA7630 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA7630

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1360pF@15V

    漏源电压:30V

    导通电阻:13mΩ@11A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    功率:2.4W

    栅极电荷:22nC@10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8280 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8280 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"23+":6621}

    规格型号(MPN):FDMD8280

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:8.2mΩ@11A,10V

    漏源电压:80V

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:3050pF@40V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6675BZ

    输入电容:2470pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:13mΩ@11A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    栅极电荷:62nC@10V

    功率:2.5W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N06LTM 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N06LTM 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N06LTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€28W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:115mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    加购:2500
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N06LTM 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N06LTM 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N06LTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€28W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:115mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 EMH2417R-TL-H 起订2466个装
    onsemi Mosfet场效应管 EMH2417R-TL-H 起订2466个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":122492,"17+":1290}

    销售单位:

    规格型号(MPN):EMH2417R-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:11A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:10mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2466
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB11N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:800
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB11N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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