采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
栅极电荷：25.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6，5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF13N50CF
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2055pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@6.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF250N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：29W
阈值电压：4V@1.1mA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1.261nF@400V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：201mΩ@10V，6.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6670A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6000，"22+"：8000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI13N50CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：195W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2055pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@6.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6670A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6670A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD250N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：106W
阈值电压：4V@1.1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.261nF@400V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：201mΩ@10V，6.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6679AZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：9.3mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP13N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：116W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1765pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：258mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：417，"22+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF250N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：29W
阈值电压：4V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1.261nF@400V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：201mΩ@10V，6.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP13N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：116W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1765pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：258mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6679AZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：9.3mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6670A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
栅极电荷：25.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6，5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF250N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：29W
阈值电压：4V@1.1mA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1.261nF@400V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：201mΩ@10V，6.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6670A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6，5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6679AZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：9.3mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
栅极电荷：25.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6，5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6，5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6670A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6679AZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：9.3mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD250N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：106W
阈值电压：4V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.261nF@400V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：201mΩ@10V，6.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6679AZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：9.3mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6670A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1850
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6670A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：358}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF13N50C
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2055pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@6.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD250N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：106W
阈值电压：4V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.261nF@400V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：201mΩ@10V，6.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6679AZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：9.3mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
