品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C404NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@25V
连续漏极电流:378A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C404NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@25V
连续漏极电流:378A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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类型:N沟道
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漏源电压:40V
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输入电容:8400pF@25V
连续漏极电流:378A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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类型:N沟道
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类型:N沟道
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输入电容:8400pF@25V
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类型:N沟道
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类型:N沟道
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C404NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@25V
连续漏极电流:378A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C404NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:378A
栅极电荷:128nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:8400pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C404NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:378A
栅极电荷:128nC@10V
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功率:3.9W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:8400pF@25V
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C404NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@25V
连续漏极电流:378A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C404NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@25V
连续漏极电流:378A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
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行业应用:工业,汽车
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连续漏极电流:378A
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包装方式:卷带(TR)
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类型:N沟道
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