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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB65N02RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@20V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8449
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@20V
连续漏极电流：7.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，7.6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8449
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@20V
连续漏极电流：7.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，7.6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB65N02RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@20V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8449
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
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输入电容：760pF@20V
连续漏极电流：7.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，7.6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTB65N02RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
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输入电容：1330pF@20V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS8449
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
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类型：1个N沟道
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漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS8449
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功率：2.5W
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连续漏极电流：7.6A
类型：1个N沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS8449
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连续漏极电流：7.6A
类型：1个N沟道
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规格型号(MPN)：FDS8449
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功率：2.5W
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类型：1个N沟道
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS8449
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类型：1个N沟道
漏源电压：40V
输入电容：760pF@20V
阈值电压：3V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
栅极电荷：11nC@5V
连续漏极电流：7.6A
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生产批次：{"09+"：4000}
规格型号(MPN)：NTB65N02RT4G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：25V
栅极电荷：9.5nC@4.5V
导通电阻：8.2mΩ@30A，10V
阈值电压：2V@250µA
输入电容：1330pF@20V
功率：1.04W€62.5W
连续漏极电流：7.6A
ECCN：EAR99
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8449
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB65N02RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€62.5W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@4.5V
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输入电容：1330pF@20V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8449
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@20V
连续漏极电流：7.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，7.6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD10N20LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€51W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：830pF@25V
连续漏极电流：7.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@3.8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD10N20LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€51W
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连续漏极电流：7.6A
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导通电阻：360mΩ@3.8A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD10N20LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€51W
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD10N20LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€51W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：830pF@25V
连续漏极电流：7.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@3.8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8449
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@20V
连续漏极电流：7.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，7.6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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