品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMB3900AN
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@13V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS17D0P03P8ZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:11.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8032L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8032L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS17D0P03P8ZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:11.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS17D0P03P8ZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:11.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS17D0P03P8ZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:11.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS17D0P03P8ZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:11.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMB3900AN
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@13V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMB3900AN
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@13V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8032L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8032L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8032L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS17D0P03P8ZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:11.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS17D0P03P8ZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:11.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8032L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8032L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8032L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8032L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8032L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS17D0P03P8ZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:11.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS17D0P03P8ZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:11.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS17D0P03P8ZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:11.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8032L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS17D0P03P8ZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:11.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8032L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMB3900AN
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@13V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS17D0P03P8ZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:11.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS17D0P03P8ZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:11.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS17D0P03P8ZTAG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1600pF@15V
栅极电荷:38nC@10V
功率:860mW
类型:P沟道
导通电阻:11.3mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存: