采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：192，"20+"：284}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2532-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5870pF@25V
连续漏极电流：79A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@33A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS008N12MCT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：102W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC
连续漏极电流：79A
类型：MOSFET
导通电阻：8mΩ
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS008N12MCT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：102W
阈值电压：4V
栅极电荷：33nC
连续漏极电流：79A
类型：MOSFET
导通电阻：8mΩ
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2532-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5870pF@25V
连续漏极电流：79A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@33A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS008N12MCT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：102W
阈值电压：4V
栅极电荷：33nC
连续漏极电流：79A
类型：MOSFET
导通电阻：8mΩ
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：192，"20+"：284}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2532-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5870pF@25V
连续漏极电流：79A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@33A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS008N12MCT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：102W
阈值电压：4V
栅极电荷：33nC
连续漏极电流：79A
类型：MOSFET
导通电阻：8mΩ
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS008N12MCT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：102W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC
连续漏极电流：79A
类型：MOSFET
导通电阻：8mΩ
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2532-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5870pF@25V
连续漏极电流：79A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@33A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：192，"20+"：284}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2532-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5870pF@25V
连续漏极电流：79A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@33A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：192，"20+"：284}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2532-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5870pF@25V
连续漏极电流：79A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@33A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2532-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5870pF@25V
连续漏极电流：79A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@33A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS008N12MCT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：102W
阈值电压：4V
栅极电荷：33nC
连续漏极电流：79A
类型：MOSFET
导通电阻：8mΩ
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS008N12MCT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：102W
阈值电压：4V
栅极电荷：33nC
连续漏极电流：79A
类型：MOSFET
导通电阻：8mΩ
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB2532-F085
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
输入电容：5870pF@25V
漏源电压：150V
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
栅极电荷：107nC@10V
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：16mΩ@33A，10V
连续漏极电流：79A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
