采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：670，"16+"：38035，"17+"：15323}
包装规格(MPQ)：700psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1350-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W€23W
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@9.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：4039，"21+"：12687}
包装规格(MPQ)：144psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP165N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：154W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：4039，"21+"：12687}
包装规格(MPQ)：144psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP165N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：154W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6416ANLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@19A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6416ANLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@19A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP165N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：1.808nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：132mΩ@10V，9.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6416ANLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@19A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"9999"：350}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP19N40
工作温度：-55℃~150℃
功率：215W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2115pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@9.5A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：680，"21+"：146，"22+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB045AN08A0-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C646NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€79W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2164pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：14349，"22+"：211，"MI+"：120}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA18N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：239W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：265mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：14349，"22+"：211，"MI+"：120}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA18N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：239W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：265mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C646NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€79W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2164pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF165N65S3R0L
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1415pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6416ANLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@19A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6416ANLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@19A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：940，"22+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF165N65S3L1
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1415pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：187，"23+"：250}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF165N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@1.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1808pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C646NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€79W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2164pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：940，"22+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF165N65S3L1
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1415pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6416ANLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@19A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：940，"22+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF165N65S3L1
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1415pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP165N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：154W
阈值电压：4.5V@1.9mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP165N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：154W
阈值电压：4.5V@1.9mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：144psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP165N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：154W
阈值电压：4.5V@1.9mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：144psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP165N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：154W
阈值电压：4.5V@1.9mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH165N65S3R0-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：154W
阈值电压：4.5V@1.9mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C646NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€79W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2164pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA18N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：239W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：265mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA18N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：239W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：265mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
