品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":670,"16+":38035,"17+":15323}
包装规格(MPQ):700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1350-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W€23W
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@20V
连续漏极电流:19A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@9.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD6416ANLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@250µA
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输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:74mΩ@19A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6416ANLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
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漏源电压:100V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6416ANLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@250µA
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连续漏极电流:19A
类型:N沟道
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漏源电压:100V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":680,"21+":146,"22+":800}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB045AN08A0-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
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连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C646NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
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输入电容:2164pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C646NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2164pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6416ANLT4G
工作温度:-55℃~175℃
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类型:N沟道
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漏源电压:100V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD6416ANLT4G-VF01
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功率:71W
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类型:N沟道
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C646NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
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连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6416ANLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@250µA
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C646NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
阈值电压:2V@250µA
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C646NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2164pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD6416ANLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6416ANLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:74mΩ@19A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6416ANLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
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连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:74mΩ@19A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C646NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
阈值电压:2V@250µA
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输入电容:2164pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6416ANLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:74mΩ@19A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":680,"21+":146,"22+":800}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB045AN08A0-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
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栅极电荷:138nC@10V
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连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6416ANLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@250µA
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栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:74mΩ@19A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C646NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.7nC@10V
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输入电容:2164pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6416ANLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
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连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:74mΩ@19A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":680,"21+":146,"22+":800}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB045AN08A0-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
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连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":670,"16+":38035,"17+":15323}
包装规格(MPQ):700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1350-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W€23W
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@20V
连续漏极电流:19A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@9.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB045AN08A0-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD6416ANLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
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连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:74mΩ@19A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB045AN08A0-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:138nC@10V
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输入电容:6600pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD6416ANLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:74mΩ@19A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6416ANLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:74mΩ@19A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C646NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2164pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: