品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":7000}
销售单位:个
规格型号(MPN):1HN04CH-TL-W
工作温度:150℃
阈值电压:2.6V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15pF@20V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:8Ω@140mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":870}
销售单位:个
规格型号(MPN):1HN04CH-TL-W
工作温度:150℃
阈值电压:2.6V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15pF@20V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:8Ω@140mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4001NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100µA
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输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
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类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
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类型:N沟道
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVS4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
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类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVS4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
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类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVS4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVS4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
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类型:N沟道
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漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVS4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
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类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100µA
栅极电荷:1.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4001NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4001NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":7000}
销售单位:个
规格型号(MPN):1HN04CH-TL-W
工作温度:150℃
阈值电压:2.6V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15pF@20V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:8Ω@140mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4001NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3nC@5V
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输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100μA
栅极电荷:1.3nC@5V
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连续漏极电流:270mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@4V,10mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
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输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100µA
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栅极电荷:1.3nC@5V
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输入电容:33pF@5V
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类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVS4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3nC@5V
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输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
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输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3nC@5V
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连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):1HN04CH-TL-W
工作温度:150℃
阈值电压:2.6V@100µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15pF@20V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:8Ω@140mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4001NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100µA
栅极电荷:1.3nC@5V
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输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4001NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4001NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3nC@5V
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输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4001NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVS4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100µA
栅极电荷:1.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: