品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMQ8403
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@15V
连续漏极电流:3.1A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:110mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMQ8403
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@15V
连续漏极电流:3.1A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:110mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMQ8403
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@15V
连续漏极电流:3.1A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:110mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMQ8403
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@15V
连续漏极电流:3.1A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:110mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDMQ8403
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@15V
连续漏极电流:3.1A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:110mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDMQ8403
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@15V
连续漏极电流:3.1A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:110mΩ@3A,10V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDMQ8403
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
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输入电容:215pF@15V
连续漏极电流:3.1A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:110mΩ@3A,10V
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行业应用:工业,汽车
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功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
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输入电容:215pF@15V
连续漏极电流:3.1A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:110mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDMQ8403
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@15V
连续漏极电流:3.1A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:110mΩ@3A,10V
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDMQ8403
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
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类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:110mΩ@3A,10V
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMQ8403
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:3.1A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:110mΩ@3A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMQ8403
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@15V
连续漏极电流:3.1A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:110mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMQ8403
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@15V
连续漏极电流:3.1A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:110mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMQ8403
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@15V
连续漏极电流:3.1A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:110mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMQ8403
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@15V
连续漏极电流:3.1A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:110mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMQ8403
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@15V
连续漏极电流:3.1A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:110mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMQ8403
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@15V
连续漏极电流:3.1A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:110mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMQ8403
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@15V
连续漏极电流:3.1A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:110mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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