采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6346，"22+"：2251，"23+"：930，"MI+"：1924}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6346，"22+"：2251，"23+"：930，"MI+"：1924}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6346，"22+"：2251，"23+"：930，"MI+"：1924}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG040N120M3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：297W
阈值电压：3.22V
ECCN：EAR99
栅极电荷：74.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：49A
类型：MOSFET
导通电阻：40.5mΩ
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD5C466NT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3.5V
栅极电荷：11nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：49A
类型：MOSFET
导通电阻：8.1mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD5C466NT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：49A
类型：MOSFET
导通电阻：8.1mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS8D0N04CTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3.5V
栅极电荷：10nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：49A
类型：MOSFET
导通电阻：8.1mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD5C466NT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3.5V
栅极电荷：11nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：49A
类型：MOSFET
导通电阻：8.1mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD5C466NT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：49A
类型：MOSFET
导通电阻：8.1mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6346，"22+"：2251，"23+"：930，"MI+"：1924}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6346，"22+"：2251，"23+"：930，"MI+"：1924}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：7852，"MI+"：1585}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：7852，"MI+"：1585}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6346，"22+"：2251，"23+"：930，"MI+"：1924}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：7852，"MI+"：1585}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
