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    连续漏极电流
    4A
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    30V
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    功率
    品牌: ON SEMI
    连续漏极电流: 4A
    行业应用: 工业
    漏源电压: 30V
    当前匹配商品:60+
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    onsemi Mosfet场效应管 NVMD4N03R2G 起订639个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMD4N03R2G 起订639个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":5005,"23+":4172,"MI+":1351}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMD4N03R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@20V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:60mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 EMH2409-TL-H 起订1527个装
    onsemi Mosfet场效应管 EMH2409-TL-H 起订1527个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":4483}

    销售单位:

    规格型号(MPN):EMH2409-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:240pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:59mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC658AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC658AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC658AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

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    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订250个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC658AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8.1nC@5V

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    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC658AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

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    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC658AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

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    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC658AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

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    连续漏极电流:4A

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    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4N03R2G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4N03R2G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMD4N03R2G

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    功率:2W

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    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

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    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC658AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

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    连续漏极电流:4A

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    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4N03R2G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4N03R2G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMD4N03R2G

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    功率:2W

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    连续漏极电流:4A

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4N03R2G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4N03R2G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMD4N03R2G

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    功率:2W

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    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4N03R2G 起订1250个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4N03R2G 起订1250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMD4N03R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

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    onsemi Mosfet场效应管 EMH2409-TL-H 起订1527个装
    onsemi Mosfet场效应管 EMH2409-TL-H 起订1527个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EMH2409-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

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    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4N03R2G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4N03R2G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMD4N03R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

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    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4N03R2G 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4N03R2G 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMD4N03R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

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    连续漏极电流:4A

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    导通电阻:60mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4N03R2G 起订1250个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4N03R2G 起订1250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":190,"23+":18297,"MI+":1797}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMD4N03R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC658AP

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    功率:1.6W

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    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

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    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4N03R2G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4N03R2G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":190,"23+":18297,"MI+":1797}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMD4N03R2G

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    功率:2W

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    输入电容:400pF@20V

    连续漏极电流:4A

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    导通电阻:60mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC658AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

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    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC658AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.1nC@5V

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    输入电容:470pF@15V

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    导通电阻:50mΩ@4A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订6000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订6000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC658AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.1nC@5V

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    输入电容:470pF@15V

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    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC658AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.1nC@5V

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    输入电容:470pF@15V

    连续漏极电流:4A

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    导通电阻:50mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4N03R2G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4N03R2G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMD4N03R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@20V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:60mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC658AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8.1nC@5V

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    连续漏极电流:4A

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMD4N03R2G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMD4N03R2G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":5005,"23+":4172,"MI+":1351}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMD4N03R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@20V

    连续漏极电流:4A

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    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC658AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4N03R2G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4N03R2G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMD4N03R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@20V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:60mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4N03R2G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4N03R2G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMD4N03R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@20V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:60mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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