品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1828}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU5N50CTU-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3077}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1828}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU5N50CTU-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU5N50CTU-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":257,"22+":154}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD5N50CTM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3512
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:634pF@40V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3077}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
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输入电容:250pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3512
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:634pF@40V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3512
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:634pF@40V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3512
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:634pF@40V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055
输入电容:250pF@30V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
栅极电荷:15nC@10V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:100mΩ@4A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: