采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1376pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA507PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：42nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2015pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.8A，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：4433，"07+"：49500，"08+"：1500，"MI+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4708NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@24V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA507PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2015pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.8A，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4708NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@24V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA507PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2015pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.8A，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA507PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2015pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.8A，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1376pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1376pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1376pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1193，"13+"：300，"15+"：843，"18+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1376pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA510PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@7.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1376pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4708NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@24V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1193，"13+"：300，"15+"：843，"18+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1376pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA507PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2015pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.8A，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA510PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@7.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA507PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2015pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.8A，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：4433，"07+"：49500，"08+"：1500，"MI+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4708NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@24V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA507PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2015pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.8A，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA507PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2015pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.8A，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA507PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2015pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.8A，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA507PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2015pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.8A，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA507PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：42nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2015pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.8A，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA507PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：42nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2015pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.8A，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA510PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@7.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA507PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2015pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.8A，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1376pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1193，"13+"：300，"15+"：843，"18+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1376pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA510PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@7.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
