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    品牌: ON SEMI
    连续漏极电流: 1.7A
    当前匹配商品:300+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDN335N 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN335N 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN335N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN335N 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN335N 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN335N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN5630

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR5198NLT1G 起订36个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR5198NLT1G 起订36个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR5198NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:2.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT1G 起订8个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT1G 起订8个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVR5198NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT3G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT3G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVR5198NLT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT3G 起订11个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT3G 起订11个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVR5198NLT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS355AN 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS355AN 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS355AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVR5198NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5632N-F085 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5632N-F085 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN5632N-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:475pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:82mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10LTF 起订4000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10LTF 起订4000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT7N10LTF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@850mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN5630

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS355AN 起订6000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS355AN 起订6000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS355AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS355AN 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS355AN 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS355AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS355AN 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS355AN 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS355AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT3G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT3G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVR5198NLT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN5630

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTF2955T1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTF2955T1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF2955T1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:14.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:492pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:185mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTF2955T1G 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTF2955T1G 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF2955T1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:14.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:492pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:185mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10TF 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10TF 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT7N10TF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@850mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS355AN 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS355AN 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS355AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS355AN 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS355AN 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS355AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR5198NLT1G 起订200个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR5198NLT1G 起订200个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR5198NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:2.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR5198NLT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR5198NLT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR5198NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630 起订200个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630 起订200个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN5630

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR5198NLT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR5198NLT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR5198NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR5198NLT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR5198NLT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR5198NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:2.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5632N-F085 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5632N-F085 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN5632N-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:475pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:82mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQU2N90TU-WS 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQU2N90TU-WS 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3440,"20+":50400,"MI+":20160}

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQU2N90TU-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2Ω@850mA,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN335N 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN335N 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN335N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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