采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6875
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6875
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLTD7900ZR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@16V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：26mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLTD7900ZR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@16V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：26mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6875
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：57452，"07+"：39000，"08+"：201364}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLTD7900ZR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@16V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：26mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：57452，"07+"：39000，"08+"：201364}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLTD7900ZR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@16V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：26mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
输入电容：1490pF@10V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
连续漏极电流：6A
栅极电荷：22nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6875
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6875
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6875
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6875
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6875
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6875
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6875
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6875
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6875
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：31nC@5V
输入电容：2.25nF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个P沟道
导通电阻：30mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6875
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6875
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6875
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6875
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6875
包装方式：卷带（TR）
类型：2个P沟道（双）
输入电容：2250pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
连续漏极电流：6A
功率：900mW
导通电阻：30mΩ@6A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
