品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":145500,"MI+":25000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":145500,"MI+":25000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":145500,"MI+":25000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
输入电容:2775 pF @ 20 V
类型:P 通道
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V @ 250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
输入电容:2775 pF @ 20 V
类型:P 通道
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V @ 250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: