品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.2V@100µA
栅极电荷:8.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@12V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@12V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":307000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS4149PTBG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@12V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.2V@100µA
栅极电荷:8.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@12V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@12V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@12V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@12V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":6000,"09+":54688}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3443BT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:819pF@10V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":3000,"10+":24000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS4149PTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":3000,"10+":24000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS4149PTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.2V@100µA
栅极电荷:8.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@12V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.2V@100µA
栅极电荷:8.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@12V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":6000,"09+":54688}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3443BT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:819pF@10V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@12V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@12V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":307000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS4149PTBG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@12V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS4149PTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS4149PTBG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS4149PTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@12V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"08+":307000}
规格型号(MPN):NTLJS4149PTBG
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:960pF@15V
导通电阻:62mΩ@4.5A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@12V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@12V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@12V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@12V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3151PT2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.2V@100µA
栅极电荷:8.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@12V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3151PT2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.2V@100µA
栅极电荷:8.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@12V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@12V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: