采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD19N10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@25V
连续漏极电流：15.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD19N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：15.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD19N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：15.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD19N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：15.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD19N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：15.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD19N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：15.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD19N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：15.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD19N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：15.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD19N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：15.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD19N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：15.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD19N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：15.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQD19N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：15.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD19N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：15.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD19N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：15.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD19N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：15.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD19N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：15.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD19N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：15.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2152
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF16N25C
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：15.6A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@7.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD19N10LTM
栅极电荷：18nC@5V
输入电容：870pF@25V
功率：2.5W€50W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：15.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@7.8A，10V
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2135
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF16N25C
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：15.6A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@7.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD19N10LTM
栅极电荷：18nC@5V
输入电容：870pF@25V
功率：2.5W€50W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：15.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@7.8A，10V
阈值电压：2V@250µA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD19N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：15.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD19N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：15.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD19N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：15.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2135
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF16N25C
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：15.6A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@7.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD19N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：15.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2152
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF16N25C
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：15.6A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@7.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD19N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：15.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2135
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF16N25C
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：15.6A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@7.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2135
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF16N25C
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：15.6A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@7.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
