采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0260N100
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9265pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0260N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8545pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@27A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0260N100
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9265pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：6952，"MI+"：970}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0300N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8295pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@26A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：6952，"MI+"：970}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0300N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8295pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@26A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0260N100
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9265pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0260N100
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9265pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0260N100
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9265pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0260N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8545pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@27A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1450，"22+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0260N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8545pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@27A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1450，"22+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0260N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8545pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@27A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0260N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8545pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@27A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NLT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NLT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：10216，"23+"：1900，"MI+"：2786}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0260N100
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9265pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：64500，"22+"：255000，"23+"：10500，"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NLT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0260N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8545pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@27A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0260N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8545pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@27A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0260N100
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9265pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0300N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8295pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@26A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：35}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0260N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8545pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@27A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0260N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8545pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@27A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0260N100
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9265pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0260N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8545pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@27A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
