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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@5V
输入电容：1.604nF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4435DY
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功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@5V
输入电容：1.604nF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
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功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
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输入电容：1.604nF@15V
连续漏极电流：8.8A
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS4435BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1845pF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SI4435DY
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功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@5V
输入电容：1.604nF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
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栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1845pF@15V
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类型：P沟道
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规格型号(MPN)：FDS4435BZ
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功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
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输入电容：1845pF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
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功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：1845pF@15V
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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