采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C446NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€66W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：22A€105A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C446NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€66W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：22A€105A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVD5C446NT4G
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功率：3.1W€66W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：22A€105A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.3nC@10V
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输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：22A€105A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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栅极电荷：34.3nC@10V
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输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：22A€105A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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栅极电荷：34.3nC@10V
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输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：22A€105A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：22A€105A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€66W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：22A€105A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVD5C446NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€66W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：22A€105A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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