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    品牌: ON SEMI
    连续漏极电流: 22A
    当前匹配商品:100+
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    onsemi Mosfet场效应管 SVD5867NLT4G 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 SVD5867NLT4G 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SVD5867NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€43W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:39mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP170N60 起订102个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP170N60 起订102个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":766}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP170N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2860pF@380V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH170N60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH170N60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH170N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2860pF@380V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDA20N50-F109 起订171个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDA20N50-F109 起订171个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":5420,"19+":13500,"MI+":450}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA20N50-F109

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3120pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@11A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@50V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP170N60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP170N60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP170N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2860pF@380V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH170N60 起订114个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH170N60 起订114个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":30,"18+":2700,"22+":8542}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH170N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2860pF@380V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDA20N50-F109 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDA20N50-F109 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":381,"MI+":450}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA20N50-F109

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3120pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@11A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB22P10TM

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.75W€125W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:1.5nF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:125mΩ@10V,11A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDA20N50-F109 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDA20N50-F109 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":381,"MI+":450}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA20N50-F109

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3120pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@11A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDA20N50-F109 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDA20N50-F109 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":5420,"19+":13500,"MI+":450}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA20N50-F109

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3120pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@11A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@50V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@50V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@50V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SVD5867NLT4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 SVD5867NLT4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SVD5867NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€43W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:39mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH170N60 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH170N60 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":30,"18+":2700,"22+":8542}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH170N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2860pF@380V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP22N60N 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP22N60N 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP22N60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:205W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1950pF@100V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB22P10TM

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.75W€125W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:1.5nF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:125mΩ@10V,11A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@50V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB22P10TM

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.75W€125W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:1.5nF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:125mΩ@10V,11A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB22P10TM

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.75W€125W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:1.5nF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:125mΩ@10V,11A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB22P10TM

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.75W€125W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:1.5nF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:125mΩ@10V,11A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@50V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SVD5867NLT4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 SVD5867NLT4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SVD5867NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€43W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:39mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB22P10TM

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.75W€125W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:1.5nF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:125mΩ@10V,11A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3690 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3690 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3690

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1514pF@50V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3690 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3690 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3690

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1514pF@50V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3690 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3690 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3690

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1514pF@50V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH22N60N 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH22N60N 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH22N60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:205W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1950pF@100V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH22N60N 起订94个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH22N60N 起订94个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH22N60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:205W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1950pF@100V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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