品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:348W
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1781pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1789pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:348W
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1781pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1789pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1590,"22+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC008N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2150pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":140,"04+":29100}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD60N03-001
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@24V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":14,"22+":42}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1789pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75332P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:145W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@60A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:348W
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1781pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":23200}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB5412NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@0V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1789pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1590,"22+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC008N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2150pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75332P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:145W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@60A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75332P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:145W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@60A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1789pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":140,"04+":29100}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD60N03-001
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@24V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75332P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:145W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@60A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:348W
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1781pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP5412NG
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@0V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP5412NG
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@0V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1789pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP7030BL
工作温度:-65℃~175℃
功率:60W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1760pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":4814,"MI+":2733}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC008N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2150pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP7030BL
工作温度:-65℃~175℃
功率:60W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1760pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD60N03-001
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@24V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD60N03-001
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@24V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:348W
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1781pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1789pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1789pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1789pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: