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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS021N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：2V@16µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：9.8A€27A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C478NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€23W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：9.8A€27A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C478NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€23W
阈值电压：3.5V@20µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：9.8A€27A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS021N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：2V@16µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：9.8A€27A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS021N06CLTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：28W€3.8W
阈值电压：2V@16μA
栅极电荷：5nC@10V
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：9.8A€27A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2990，"22+"：434}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS021N06CLTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：28W€3.8W
阈值电压：2V@16μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：9.8A€27A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS021N06CLTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：28W€3.8W
阈值电压：2V@16μA
栅极电荷：5nC@10V
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：9.8A€27A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C478NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€23W
阈值电压：3.5V@20µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：9.8A€27A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMFD5C478NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€23W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：9.8A€27A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMFD5C478NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€23W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：9.8A€27A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMYS021N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：2V@16µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：9.8A€27A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：NVMFD5C478NT1G
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功率：3.1W€23W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：9.8A€27A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
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行业应用：工业,汽车
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输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：9.8A€27A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€23W
阈值电压：3.5V@20µA
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输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：9.8A€27A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS021N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：2V@16µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：9.8A€27A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：2V@16µA
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栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：9.8A€27A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~+175℃
功率：28W€3.8W
阈值电压：2V@16μA
栅极电荷：5nC@10V
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：9.8A€27A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMYS021N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：2V@16µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：9.8A€27A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C478NT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
类型：2N沟道（双）
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：3.5V@20µA
输入电容：325pF@25V
功率：3.1W€23W
导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：9.8A€27A
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMYS021N06CLTWG
导通电阻：21mΩ@10A，10V
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
输入电容：410pF@25V
功率：28W€3.8W
栅极电荷：5nC@10V
连续漏极电流：9.8A€27A
漏源电压：60V
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€23W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：9.8A€27A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2990，"22+"：434}
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工作温度：-55℃~+175℃
功率：28W€3.8W
阈值电压：2V@16μA
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栅极电荷：5nC@10V
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连续漏极电流：9.8A€27A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C478NT1G
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功率：3.1W€23W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：9.8A€27A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
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类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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功率：3.1W€23W
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输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：9.8A€27A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C478NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€23W
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ECCN：EAR99
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输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：9.8A€27A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS021N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：2V@16µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
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输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：9.8A€27A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：9.8A€27A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS021N06CLTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：28W€3.8W
阈值电压：2V@16μA
栅极电荷：5nC@10V
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：9.8A€27A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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