品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2K102NUZTDG
工作温度:150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:33A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:2.65mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB33N25TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:235W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2135pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@16.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2K102NUZTDG
工作温度:150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:33A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:2.65mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2K102ANUZTDG
工作温度:150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:33A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.75mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:20+
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP33N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:127W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@16.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB33N25TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:235W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2135pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@16.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB33N25TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:235W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2135pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@16.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB33N25TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:235W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2135pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@16.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF33N25T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:48nC@10V
输入电容:2.135nF@25V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:94mΩ@10V,16.5A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2K102ANUZTDG
工作温度:150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:33A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.75mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2K102ANUZTDG
工作温度:150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:33A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.75mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2K102NUZTDG
工作温度:150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:33A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:2.65mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP33N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:235W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2135pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@16.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2K102ANUZTDG
工作温度:150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:33A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.75mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB33N25TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:235W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2135pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@16.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB33N25TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:235W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2135pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@16.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB33N25TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:235W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2135pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@16.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB33N25TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:235W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2135pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@16.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":210000}
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2K102NUZTDG
工作温度:150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:33A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:2.65mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL099N60S5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:184W
阈值电压:4V@2.8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.5nF@400V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:79.2mΩ@10V,13.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2K102NUZTDG
工作温度:150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:33A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:2.65mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP33N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:235W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2135pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@16.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL099N60S5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:184W
阈值电压:4V@2.8mA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.5nF@400V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:79.2mΩ@10V,13.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NWFTAG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:46W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:33A
类型:MOSFET
导通电阻:21.1mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2K102NUZTDG
工作温度:150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:33A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:2.65mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NWFTAG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:46W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:33A
类型:MOSFET
导通电阻:21.1mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NWFTAG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:46W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:33A
类型:MOSFET
导通电阻:21.1mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL099N60S5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:184W
阈值电压:4V@2.8mA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.5nF@400V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:79.2mΩ@10V,13.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2K102ANUZTDG
工作温度:150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:33A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.75mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":210000}
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2K102NUZTDG
工作温度:150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:33A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:2.65mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: