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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8870
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4615 pF @ 15 V
连续漏极电流：18A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4.2 毫欧 @ 18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8870
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4615 pF @ 15 V
连续漏极电流：18A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4.2 毫欧 @ 18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS8870
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4615 pF @ 15 V
连续漏极电流：18A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4.2 毫欧 @ 18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS8870
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4615 pF @ 15 V
连续漏极电流：18A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4.2 毫欧 @ 18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 1mA
栅极电荷：41 nC @ 10 V
输入电容：2670 pF @ 15 V
连续漏极电流：18A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4.8 毫欧 @ 18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 1mA
栅极电荷：41 nC @ 10 V
输入电容：2670 pF @ 15 V
连续漏极电流：18A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4.8 毫欧 @ 18A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：112 nC @ 10 V
输入电容：4615 pF @ 15 V
连续漏极电流：18A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4.2 毫欧 @ 18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 1mA
栅极电荷：41 nC @ 10 V
输入电容：2670 pF @ 15 V
连续漏极电流：18A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4.8 毫欧 @ 18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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工作温度：-55°C~150°C（TJ）
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阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：112 nC @ 10 V
输入电容：4615 pF @ 15 V
连续漏极电流：18A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4.2 毫欧 @ 18A，10V
漏源电压：30V
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工作温度：-55°C~150°C（TJ）
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阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：112 nC @ 10 V
输入电容：4615 pF @ 15 V
连续漏极电流：18A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4.2 毫欧 @ 18A，10V
漏源电压：30V
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阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4615 pF @ 15 V
连续漏极电流：18A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4.2 毫欧 @ 18A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8870
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4615 pF @ 15 V
连续漏极电流：18A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4.2 毫欧 @ 18A，10V
漏源电压：30V
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工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 1mA
栅极电荷：41 nC @ 10 V
输入电容：2670 pF @ 15 V
连续漏极电流：18A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4.8 毫欧 @ 18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 1mA
栅极电荷：41 nC @ 10 V
输入电容：2670 pF @ 15 V
连续漏极电流：18A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4.8 毫欧 @ 18A，10V
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阈值电压：3V @ 1mA
栅极电荷：41 nC @ 10 V
输入电容：2670 pF @ 15 V
连续漏极电流：18A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4.8 毫欧 @ 18A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
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销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 1mA
栅极电荷：41 nC @ 10 V
输入电容：2670 pF @ 15 V
连续漏极电流：18A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4.8 毫欧 @ 18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 1mA
栅极电荷：41 nC @ 10 V
输入电容：2670 pF @ 15 V
连续漏极电流：18A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4.8 毫欧 @ 18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：112 nC @ 10 V
输入电容：4615 pF @ 15 V
连续漏极电流：18A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4.2 毫欧 @ 18A，10V
漏源电压：30V
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栅极电荷：41 nC @ 10 V
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阈值电压：3V @ 1mA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
输入电容：2670 pF @ 15 V
类型：N 通道
导通电阻：4.8 毫欧 @ 18A，10V
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：4615 pF @ 15 V
导通电阻：4.2 毫欧 @ 18A，10V
漏源电压：30V
功率：2.5W（Ta）
栅极电荷：112 nC @ 10 V
阈值电压：2.5V @ 250µA
连续漏极电流：18A（Ta）
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
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