采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2475，"15+"：6750，"9999"：1541}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD01N60-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：3.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：02+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF2N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.3Ω@750mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN308P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：341pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@24V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1600，"MI+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF2N80YDTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.3Ω@750mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@24V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：296，"16+"：25733}
包装规格(MPQ)：700psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1440-TL-E
工作温度：150℃
功率：1W€20W
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.1Ω@800mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@24V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@24V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN358P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN358P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@24V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：296，"16+"：25733}
包装规格(MPQ)：700psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1440-TL-E
工作温度：150℃
功率：1W€20W
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.1Ω@800mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN358P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN358P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@24V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN358P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN358P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN358P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@24V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@24V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@24V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@24V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN358P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN358P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
