采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：141000，"09+"：44907}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGD4169FT1G
工作温度：-25℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGD4169FT1G
工作温度：-25℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：141000，"09+"：44907}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGD4169FT1G
工作温度：-25℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
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输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：2.6A
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
栅极电荷：17nC@4.5V
功率：500mW
类型：P沟道
输入电容：1138pF@6V
漏源电压：12V
阈值电压：1.5V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGD4169FT1G
工作温度：-25℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
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输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
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输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
