采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN86501LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@30V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：116mΩ@2.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@50V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN86501LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@30V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：116mΩ@2.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@50V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN86501LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@30V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：116mΩ@2.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8440ASTT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.69W
阈值电压：1.9V@100µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@35V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，10V
漏源电压：59V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@50V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8440ASTT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.69W
阈值电压：1.9V@100µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@35V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，10V
漏源电压：59V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8440ASTT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.69W
阈值电压：1.9V@100µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@35V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，10V
漏源电压：59V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：141000，"09+"：44907}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGD4169FT1G
工作温度：-25℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8440ASTT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.69W
阈值电压：1.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@35V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，10V
漏源电压：59V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1906，"16+"：750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD03N50Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：58W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：274pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1.15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8440ASTT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.69W
阈值电压：1.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@35V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，10V
漏源电压：59V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN86501LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@30V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：116mΩ@2.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1500，"11+"：75，"14+"：40597，"16+"：900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD03N60Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：61W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：312pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN86501LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@30V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：116mΩ@2.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2650，"23+"：36000，"MI+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN86501LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@30V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：116mΩ@2.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1500，"11+"：75，"14+"：40597，"16+"：900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD03N60Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：61W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：312pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@50V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@50V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8440ASTT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.69W
阈值电压：1.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@35V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，10V
漏源电压：59V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@50V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：21.9W
阈值电压：4.5V@260µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：21.9W
阈值电压：4.5V@260µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGD4169FT1G
工作温度：-25℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8440ASTT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.69W
阈值电压：1.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@35V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，10V
漏源电压：59V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8440ASTT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.69W
阈值电压：1.9V@100µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@35V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，10V
漏源电压：59V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
