采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ661PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS4111PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A90PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A90PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：3954，"11+"：2950，"12+"：119518，"13+"：750000，"18+"：3000，"19+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A90PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：04+
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS4111PT1
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS4111PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS4111PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS4111PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS4111PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS4111PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF2955T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@750mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS4111PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：04+
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS4111PT1
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ661PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF2955T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@750mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS4111PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A90PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF2955T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@750mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：04+
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS4111PT1
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ661PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ661PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A90PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS4111PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A90PZTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
