采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA70N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP70N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：156nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP70N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：156nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：5600，"17+"：7200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8444-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8035pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8444
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8035pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP70N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP70N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：156nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA70N15
工作温度：-55℃~175℃
功率：330W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@35A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP70N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：156nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA70N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA70N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA70N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA70N15
工作温度：-55℃~175℃
功率：330W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@35A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：5600，"17+"：7200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8444-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8035pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA70N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP70N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：156nC@20V
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连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP70N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：5600，"17+"：7200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8444-F085
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功率：167W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
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输入电容：8035pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：5600，"17+"：7200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8444-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8035pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP70N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP70N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：156nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA70N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP70N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：156nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8444
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8035pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA70N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8444-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8035pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8444-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8035pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：5600，"17+"：7200}
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB8444-F085
导通电阻：5.5mΩ@70A，10V
包装方式：卷带（TR）
功率：167W
漏源电压：40V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
栅极电荷：128nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：8035pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA70N10
栅极电荷：110nC@10V
功率：214W
连续漏极电流：70A
输入电容：3300pF@25V
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@35A，10V
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：RFP70N06
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
栅极电荷：156nC@20V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：14mΩ@70A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
