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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：22nC@5V
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@5V，9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：22nC@5V
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输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：65mΩ@9A，5V
输入电容：675pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：65mΩ@9A，5V
输入电容：675pF@25V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
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阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：22nC@5V
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输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
