采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8638
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8672S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD770N15A
工作温度：-55℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：765pF@75V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@12A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：78，"19+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8638
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86540
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6410pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86540
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6410pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD770N15A
工作温度：-55℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：765pF@75V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@12A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：29627，"MI+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86540
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6410pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86540
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6410pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8638
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD770N15A
工作温度：-55℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：765pF@75V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@12A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD770N15A
工作温度：-55℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：765pF@75V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@12A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8638
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8672S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86540
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6410pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8638
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD770N15A
工作温度：-55℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：765pF@75V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@12A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD770N15A
工作温度：-55℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：765pF@75V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@12A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8638
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8672S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8638
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8638
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8638
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：78，"19+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8638
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8672S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD770N15A
工作温度：-55℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：765pF@75V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@12A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：78，"19+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8638
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8672S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8672S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD770N15A
工作温度：-55℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：765pF@75V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@12A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
