采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：75000，"22+"：4500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C08NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€25.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1113pF@15V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C08NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€25.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1113pF@15V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C08NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€25.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1113pF@15V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C08NTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€25.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1113pF@15V
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类型：N沟道
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漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTTFS4C08NTAG
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功率：820mW€25.5W
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C08NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€25.5W
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ECCN：EAR99
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输入电容：1113pF@15V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C08NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€25.5W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1113pF@15V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：235000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C08NTWG
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功率：820mW€25.5W
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ECCN：EAR99
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输入电容：1113pF@15V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
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生产批次：{"19+"：75000，"22+"：4500}
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规格型号(MPN)：NTTFS4C08NTAG
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ECCN：EAR99
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规格型号(MPN)：NTTFS4C08NTAG
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功率：820mW€25.5W
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTTFS4C08NTWG
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTTFS4C08NTAG
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功率：820mW€25.5W
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类型：N沟道
连续漏极电流：9.3A
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漏源电压：30V
栅极电荷：18.2nC@10V
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连续漏极电流：9.3A
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
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ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C08NTAG
功率：820mW€25.5W
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漏源电压：30V
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连续漏极电流：9.3A
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ECCN：EAR99
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTTFS4C08NTAG
工作温度：-55℃~150℃
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ECCN：EAR99
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输入电容：1113pF@15V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
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漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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连续漏极电流：9.3A
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导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：235000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C08NTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€25.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
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连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C08NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€25.5W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
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漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C08NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€25.5W
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栅极电荷：18.2nC@10V
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输入电容：1113pF@15V
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类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C08NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€25.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：18.2nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
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