品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86252
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€89W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:985pF@75V
连续漏极电流:5A€27A
类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":45000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C25NTWG
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW€20.2W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:5A€27A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":460,"21+":312034}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C25NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW€20.2W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:5A€27A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86252
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€89W
阈值电压:4V@250μA
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类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86252
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€89W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:985pF@75V
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类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":460,"21+":312034}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C25NTAG
工作温度:-55℃~150℃
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连续漏极电流:5A€27A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86252
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€89W
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类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":45000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C25NTWG
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW€20.2W
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ECCN:EAR99
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连续漏极电流:5A€27A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86252
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€89W
阈值电压:4V@250μA
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导通电阻:52mΩ@5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86252
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€89W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:985pF@75V
连续漏极电流:5A€27A
类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C25NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW€20.2W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:5A€27A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86252
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€89W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
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输入电容:985pF@75V
连续漏极电流:5A€27A
类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C25NTWG
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW€20.2W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:5A€27A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":395470,"21+":191581,"MI+":4500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C25NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW€20.2W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:5A€27A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":395470,"21+":191581,"MI+":4500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C25NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW€20.2W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.3nC@10V
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连续漏极电流:5A€27A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86252
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€89W
阈值电压:4V@250μA
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栅极电荷:16nC@10V
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连续漏极电流:5A€27A
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导通电阻:52mΩ@5A,10V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86252
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功率:3.1W€89W
阈值电压:4V@250μA
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导通电阻:52mΩ@5A,10V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86252
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€89W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
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连续漏极电流:5A€27A
类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86252
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€89W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
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连续漏极电流:5A€27A
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导通电阻:52mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86252
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€89W
阈值电压:4V@250μA
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输入电容:985pF@75V
连续漏极电流:5A€27A
类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86252
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€89W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:985pF@75V
连续漏极电流:5A€27A
类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C25NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW€20.2W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:5A€27A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86252
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€89W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:5A€27A
类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86252
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€89W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:985pF@75V
连续漏极电流:5A€27A
类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C25NTWG
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW€20.2W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:5A€27A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86252
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:150V
功率:3.1W€89W
输入电容:985pF@75V
阈值电压:4V@250μA
导通电阻:52mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:16nC@10V
连续漏极电流:5A€27A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86252
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:150V
功率:3.1W€89W
输入电容:985pF@75V
阈值电压:4V@250μA
导通电阻:52mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:16nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:5A€27A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C25NTWG
输入电容:500pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:10.3nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:690mW€20.2W
导通电阻:17mΩ@10A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:5A€27A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86252
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:150V
功率:3.1W€89W
输入电容:985pF@75V
阈值电压:4V@250μA
导通电阻:52mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:16nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:5A€27A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86252
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€89W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:985pF@75V
连续漏极电流:5A€27A
类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: