品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2900}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA905P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3405pF@6V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8308-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@6V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:12.5mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86255
功率:2.7W
阈值电压:4V@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:12.4mΩ@10V,10A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":55000,"10+":140860}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4935NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3639pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2400}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB10N50CFTM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:143W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2210pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC6605R-V-TR
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:2个N沟道
导通电阻:13.3mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":730000,"17+":124000,"19+":205000}
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC6605R-V-TR
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:2个N沟道
导通电阻:13.3mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDZ1323NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2055pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:13mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":230,"22+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8697R-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:11.6mΩ@5A,4.5V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N10TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":87000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA905P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3405pF@6V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA8051L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF6P02T3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@16V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF6P02T3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@16V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":55000,"10+":140860}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4935NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3639pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF6P02T3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@16V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF6P02T3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@16V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86255
功率:2.7W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:12.4mΩ@10V,10A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":6000,"16+":40012}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8651R-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14mΩ@5A,4.5V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA8051L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":55000,"10+":140860}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4935NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3639pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA8051L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF6P02T3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@16V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":730000,"17+":124000,"19+":205000}
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC6605R-V-TR
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:2个N沟道
导通电阻:13.3mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86255
功率:2.7W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:12.4mΩ@10V,10A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86255
功率:2.7W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:12.4mΩ@10V,10A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF6P02T3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@16V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF6P02T3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@16V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: