采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86255
功率：2.7W
阈值电压：4V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10V，10A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF360N65S3R0L-F154
工作温度：-55℃~+150℃
功率：27W
阈值电压：4.5V@200μA
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：310mΩ@10V，5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF360N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：26W
阈值电压：4V@700μA
栅极电荷：17.5nC@10V
输入电容：916pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.96mΩ@10V，5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD360N65S3T4G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@200μA
栅极电荷：16.8nC@10V
输入电容：756pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86255
功率：2.7W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10V，10A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86255
功率：2.7W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10V，10A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86255
功率：2.7W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10V，10A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF360N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：26W
阈值电压：4V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
输入电容：916pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.96mΩ@10V，5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86255
功率：2.7W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10V，10A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86255
功率：2.7W
阈值电压：4V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10V，10A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF360N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：26W
阈值电压：4V@700μA
栅极电荷：17.5nC@10V
输入电容：916pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.96mΩ@10V，5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF360N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：26W
阈值电压：4V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
输入电容：916pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.96mΩ@10V，5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF360N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：26W
阈值电压：4V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
输入电容：916pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.96mΩ@10V，5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86255
功率：2.7W
阈值电压：4V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10V，10A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86255
功率：2.7W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10V，10A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6690AS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：910pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：596，"20+"：2759，"21+"：1381}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86255
功率：2.7W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10V，10A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86255
功率：2.7W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10V，10A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6690AS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：910pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1354，"22+"：2188}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6690AS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：910pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：596，"20+"：2759，"21+"：1381}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86255
功率：2.7W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10V，10A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
