采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.88W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.88W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75329D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75321D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：93W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.88W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75321D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：93W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75329D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75329D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS9420-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@20V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75321D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：93W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75321D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：93W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS9420-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@20V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75321D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：93W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75329D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75321D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：93W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.88W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.88W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.88W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.88W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.88W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.88W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：10982}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75321D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：93W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：10982}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75321D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：93W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.88W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：10982}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75321D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：93W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.88W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75329D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.88W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75321D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：93W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75321D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：93W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
