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    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.88W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1015pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.88W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1015pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75329D3ST 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75329D3ST 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75329D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:128W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06LT4G 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06LT4G 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N06LT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.36W€60W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:32nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:990pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@10A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75321D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:93W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB190N65S3F 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB190N65S3F 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB190N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:162W

    阈值电压:5V@430µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1605pF@400V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB20N50F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3390pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUFA76429D3ST-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUFA76429D3ST-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":620,"21+":186,"22+":4476}

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUFA76429D3ST-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1480pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB20N60FTM 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB20N60FTM 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB20N60FTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.37nF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:95pF@25V

    导通电阻:150mΩ@10V,10A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB190N65S3F 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB190N65S3F 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB190N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:162W

    阈值电压:5V@430µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1605pF@400V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6681Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7540pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76629D3ST 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76629D3ST 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF76629D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1285pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB190N65S3HF 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB190N65S3HF 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB190N65S3HF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:162W

    阈值电压:5V@430µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1610pF@400V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":330,"23+":122}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB20N50F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3390pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76629D3ST 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76629D3ST 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF76629D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1285pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6681Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7540pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.88W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1015pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB190N65S3HF 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB190N65S3HF 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB190N65S3HF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:162W

    阈值电压:5V@430µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1610pF@400V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N03L27T4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N03L27T4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N03L27T4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.75W€74W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@10A,5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06LT4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06LT4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N06LT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.36W€60W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:32nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:990pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@10A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76629D3ST 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76629D3ST 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF76629D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1285pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76629D3ST 起订7500个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76629D3ST 起订7500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF76629D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1285pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N03L27T4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N03L27T4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N03L27T4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.75W€74W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@10A,5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75321D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:93W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N03L27T4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N03L27T4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N03L27T4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.75W€74W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:18.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@10A,5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75329D3ST 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75329D3ST 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75329D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:128W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75329D3ST 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75329D3ST 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75329D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:128W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76629D3ST 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76629D3ST 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF76629D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1285pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB20N50F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3390pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6681Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7540pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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