品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB190N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1605pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB20N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3390pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB190N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1605pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6681Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7540pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1610pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":330,"23+":122}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB20N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3390pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6681Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7540pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1610pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N03L27T4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.75W€74W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@10A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N03L27T4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.75W€74W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@10A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N03L27T4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.75W€74W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:18.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@10A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB20N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3390pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6681Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7540pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB20N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3390pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N03L27T4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.75W€74W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@10A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1610pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6681Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7540pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB190N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1605pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6681Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7540pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N03L27T4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.75W€74W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@10A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N03L27T4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.75W€74W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:18.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@10A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N03L27T4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.75W€74W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@10A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB20N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3390pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1610pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB20N60F-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:405W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2035pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@20A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB20N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3390pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6681Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7540pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5867NLT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6681Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7540pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N03L27T4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.75W€74W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@10A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: