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    品牌: ON SEMI
    连续漏极电流: 14A€38A
    当前匹配商品:30+
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    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS010N04CLTWG 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS010N04CLTWG 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS010N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€28W

    阈值电压:2V@20µA

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:14A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS010N04CLTWG 起订3个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS010N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€28W

    阈值电压:2V@20µA

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:14A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS010N04CLTWG 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS010N04CLTWG 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS010N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€28W

    阈值电压:2V@20µA

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:14A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS010N04CLTWG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS010N04CLTWG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS010N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

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    连续漏极电流:14A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS010N04CLTWG 起订1000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS010N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:14A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMYS010N04CLTWG 起订300个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":3746}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMYS010N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€28W

    阈值电压:2V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:14A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS010N04CLTWG 起订1000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS010N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€28W

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    类型:N沟道

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    漏源电压:40V

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    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS010N04CLTWG 起订10个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS010N04CLTWG

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    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:14A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS010N04CLTWG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS010N04CLTWG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS010N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€28W

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    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:14A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMYS010N04CLTWG 起订180个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMYS010N04CLTWG 起订180个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":3746}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMYS010N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€28W

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    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:14A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMYS010N04CLTWG 起订3000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMYS010N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€28W

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    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS010N04CLTWG 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS010N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

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    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS010N04CLTWG 起订10个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS010N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

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    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMYS010N04CLTWG 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":3746}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMYS010N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€28W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@10V

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    连续漏极电流:14A€38A

    类型:N沟道

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    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS010N04CLTWG 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS010N04CLTWG

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    连续漏极电流:14A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS010N04CLTWG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS010N04CLTWG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS010N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€28W

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:14A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS010N04CLTWG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS010N04CLTWG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS010N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€28W

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    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:14A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMYS010N04CLTWG 起订428个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMYS010N04CLTWG 起订428个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMYS010N04CLTWG

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    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTMYS010N04CLTWG 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMYS010N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€28W

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    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:14A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS010N04CLTWG 起订3000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS010N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€28W

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:14A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS010N04CLTWG 起订3000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS010N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€28W

    阈值电压:2V@20µA

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:14A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NTMYS010N04CLTWG 起订3000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMYS010N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€28W

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:14A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS010N04CLTWG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS010N04CLTWG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS010N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€28W

    阈值电压:2V@20µA

    栅极电荷:7.3nC@10V

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    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:14A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS010N04CLTWG 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS010N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€28W

    阈值电压:2V@20µA

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:14A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS010N04CLTWG 起订6000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS010N04CLTWG 起订6000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS010N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€28W

    阈值电压:2V@20µA

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:14A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTMYS010N04CLTWG 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMYS010N04CLTWG 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMYS010N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€28W

    阈值电压:2V@20µA

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:14A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMYS010N04CLTWG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMYS010N04CLTWG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMYS010N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€28W

    阈值电压:2V@20µA

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:14A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NTMYS010N04CLTWG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMYS010N04CLTWG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMYS010N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€28W

    阈值电压:2V@20µA

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:14A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NTMYS010N04CLTWG 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMYS010N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€28W

    阈值电压:2V@20µA

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:14A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NTMYS010N04CLTWG 起订6000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMYS010N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€28W

    阈值电压:2V@20µA

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:14A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

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