品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP085N10A-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2695pF@50V
连续漏极电流:96A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@96A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2695pF@50V
连续漏极电流:96A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@96A,10V
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阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
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包装方式:管件
输入电容:2695pF@50V
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类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@96A,10V
漏源电压:100V
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类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@96A,10V
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类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@96A,10V
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工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
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栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2695pF@50V
连续漏极电流:96A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@96A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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