采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6322C
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA€410mA
类型：N和P沟道
导通电阻：4Ω@220mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6322C
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA€410mA
类型：N和P沟道
导通电阻：4Ω@220mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6322C
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA€410mA
类型：N和P沟道
导通电阻：4Ω@220mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6322C
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA€410mA
类型：N和P沟道
导通电阻：4Ω@220mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6322C
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA€410mA
类型：N和P沟道
导通电阻：4Ω@220mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6322C
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA€410mA
类型：N和P沟道
导通电阻：4Ω@220mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6322C
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA€410mA
类型：N和P沟道
导通电阻：4Ω@220mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6322C
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA€410mA
类型：N和P沟道
导通电阻：4Ω@220mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6322C
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA€410mA
类型：N和P沟道
导通电阻：4Ω@220mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1865，"21+"：12000，"24+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6322C
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA€410mA
类型：N和P沟道
导通电阻：4Ω@220mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6322C
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA€410mA
类型：N和P沟道
导通电阻：4Ω@220mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6322C
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA€410mA
类型：N和P沟道
导通电阻：4Ω@220mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6322C
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA€410mA
类型：N和P沟道
导通电阻：4Ω@220mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6322C
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA€410mA
类型：N和P沟道
导通电阻：4Ω@220mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA€410mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：4Ω@220mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1865，"21+"：12000，"24+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6322C
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA€410mA
类型：N和P沟道
导通电阻：4Ω@220mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6322C
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA€410mA
类型：N和P沟道
导通电阻：4Ω@220mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA€410mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：4Ω@220mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6322C
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA€410mA
类型：N和P沟道
导通电阻：4Ω@220mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6322C
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA€410mA
类型：N和P沟道
导通电阻：4Ω@220mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6322C
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA€410mA
类型：N和P沟道
导通电阻：4Ω@220mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6322C
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA€410mA
类型：N和P沟道
导通电阻：4Ω@220mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA€410mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：4Ω@220mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6322C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：400pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA€410mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：4Ω@220mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
