品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@25V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@25V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@25V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@25V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@25V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@25V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@25V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@25V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@25V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@25V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@25V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@25V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@25V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@25V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLWFTAG
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:5mΩ@50A,10V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1935pF@25V
栅极电荷:12nC@4.5V
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLWFTAG
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:5mΩ@50A,10V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1935pF@25V
栅极电荷:12nC@4.5V
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLWFTAG
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:5mΩ@50A,10V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1935pF@25V
栅极电荷:12nC@4.5V
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@25V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@25V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@25V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@25V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@25V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@25V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@25V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@25V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@25V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@25V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@25V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@25V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@25V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: